Tranzystory IGBT serii HB firmy STMicroelectronics

Tranzystory IGBT serii HB są wykonane w technologii TFS (trench field-stop) i zostały zoptymalizowane do pracy w aplikacjach, gdzie częstotliwość przełączania znajduje się w zakresie od 16kHz do  60kHz.

Tranzystory charakteryzują się, niskim napięciem nasycenia (1.6V typowo), szerokim zakresem temperatury pracy do 175C i napięciu C-E do 650V. Typowe aplikacje to spawarki, układy PFC, zasilacze UPS oraz inwertery solarne. Tranzystory zawierają także wbudowaną diodę.

Elementy są dostępne w zakresie prądów od 20A do 80A w obudowach D2PAK, TO-220, TO-3P, TO-3PF, TO-247, TO-247 LL, oraz TO-247 4L.

Więcej informacji: http://www.st.com/en/power-transistors/igbt-hb-series-high-speed-16-to-60-khz.html