STGAP2S – wysokonapięciowy driver MOSFET/IGBT

STGAP2S to nowoczesny driver MOSFET/IGBT, który izoluje bramkę tranzystora od układu sterowania niskiego napięcia.

Układ dostarcza do 4A prądu, napięcie wyjściowe w zakresie rail-to-rail, co pozwala na zastosowanie STGAP2S w falownikach dużej mocy.

Urządzenie jest dostępne w 2 różnych konfiguracjach:

  • Oddzielne piny wyjściowe pozwalają niezależnie zoptymalizować proces włączania i wyłączania tranzystora używając do tego celu dedykowanych rezystorów.
  • Pojedynczy pin wyjściowy z wbudowaną funkcję „Miller clamp” zapobiega przepięciom na bramce w czasie przełączania mostka mocy (typowo w topologii half-bridge).

Obie konfiguracje zapewniają duża elastyczności i pozwalają na znaczącą redukcję ilości komponentów w produkcie.

Układ posiada szereg wbudowanych zabezpieczeń: UVLO, termiczne, ochrona przed przewodzeniem skrośnym (w przypadku awarii mikrokontrolera sterującego)
Propagacja sygnału z wejścia do wyjścia nie przekracza 80ns, co pozwala na wysoką dokładność sterowania PWM.

Dostępny jest układ STANDBY, pozwalający na redukcję zużycia energii podczas spoczynku.

Główne cechy:

  • Sterowanie jedną bramką
  • Napięcie maksymalne po stronie tranzystora 1700V
  • Maksymalny prąd bramki: 4A
  • Napięcie sterowania bramki do: 26V
  • Wysoka odporność na dV/dt: ± 100V/ns
  • Całkowite opóźnienie propagacji sygnału z wejścia do wyjścia: 80ns
  • Możliwość regulacji czasu załączenia i wyłączenia za pomocą rezystorów
  • Funkcja Miller clamp
  • Funkcja UVLO
  • Wejścia TTL/CMOS (3.3V, 5V) z histerezą
  • Ochrona termiczna
  • Funkcja STANDBY
  • Obudowa: SO-8

Więcej informacji:

https://www.st.com/content/st_com/en/products/power-management/mosfet-and-igbt-gate-drivers/single-channel-drivers/stgap2s.html