PWD5F60 – zaawansowany wysokonapięciowy moduł tranzystorowy

PWD5F60 jest to zaawansowany moduł mocy zawierający stopień sterujący (driver) i cztery N-kanałowe PowerMOSFETy w podwójnym układzie pół-mostkowym (half-bridge). Tranzystory PowerMOS mają Rdson=1.38R i napięcie Uds=600V.

Stopień sterowania PWD5F60 może być zasilany w szerokim zakrasie od 10V do 20V oraz zawiera zabezpieczenie podnapięciowe (UVLO), przez co zapobiega pracy mostka mocy w nieoptymalnych czy niebezpiecznych warunkach.

Układ pozwala na łatwą integrację z mikrokontrolerami, DSP albo hallotronami.

PWD5F60 posiada dwa wbudowane komparatory przeznaczone do ochrony przed prądem przeciążeniowym, przegrzaniem itp.

PWD5F60 działa w przemysłowym zakresie temperatur od -40C do +125C i jest dostępny w w kompaktowej obudowie VFQFPN

Główne cechy:

  • Zintegrowany pełny mostek mocy PowerMOS i stopień sterujący:
    • RDS(ON) = 1.38R
    • Napięcia Uds = 600V
  • Nadaje się do pracy jako w układzie:
    • Pełby mostek (full bridge)
    • Dwa niezależne pół-mostki (half bridge)
  • Ochrona podnapięciowa (UVLO)
  • Kompatybilne wejścia dla napięć od 3.3V do 15V
  • Zintegrowane Komparatory
  • Regulowany czas „dead time”
  • Zakres temperatur od -40C do +125C
  • Obudowa VFQFPN

Więcej informacji:
https://www.st.com/content/st_com/en/products/power-management/high-density-power-drivers/pwd5f60.html