Tranzystory PowerMOS z serii MDmesh DM6

Seria tranzystorów PowerMOS z serii MDmesh DM6 o zakresie napięć Uds=600-650V to nowoczesne bardzo szybkie komponenty z bardzo małą pojemnością Cgd/Cgs oraz o 15% mniejszym Rdson niż poprzednia generacja. Wysoki dV/dt rzędu 50V/ns pozwala na niezawodne działanie nawet w przypadku wysokich przepięć.

Główne cechy:

• Bardzo szybka dioda wewnętrzna (niski Trr)
• Wysokie dV/dt
• Napięcie: 600-650V
• Kwalifikacja AEC-Q101
• Szeroka gama obudów (TO-220, D2PAK, I2PAK itd..)

Więcej informacjii:

https://www.st.com/content/st_com/en/products/power-transistors/power-mosfets/n-channel-mdmesh-gt350-v-to-700-v/mdmesh-dm6-series.html